MBR2535CTG, MBR2545CTG
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2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
MBR2535CTG
MBR2545CTG
V
V
RRM
RWM
VR
35
45
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC
= 160
°C)
Per Device
Per Diode
IF(AV)
30
15
A
Peak Repetitive Forward Current
per Diode Leg (Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC
= 150
°C)
IFRM
30
A
Non?Repetitive Peak Surge Current per Diode Leg
(Surge Applied at Rated Load Conditions, Halfwave, Single Phase, 60 Hz)
IFSM
150
A
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 s, 1.0 kHz)
IRRM
1.0
A
Storage Temperature Range
Tstg
?65 to +175
°C
Operating Junction Temperature (Note 1)
TJ
?65 to +175
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
10,000
V/s
ESD Ratings:
Machine Model = C
Human Body Model = 3B
ESD
> 400
> 8000
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. The heat generated must be less than the thermal conductivity from Junction?to?Ambient: dPD/dTJ
< 1/R
JA.
THERMAL CHARACTERISTICS (Per Leg)
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Thermal Resistance,
Junction?to?Case
Junction?to?Ambient(Note 2)
RJC
RJA
1.5
50
°C/W
2. When mounted using minimum recommended pad size on FR?4 board.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Per Diode)
Symbol
Characteristic
Condition
Min
Typ
Max
Unit
VF
Instantaneous Forward Voltage
(Note 3)
IF
= 15 Amp, T
J
= 25
°C
IF
= 15 Amp, T
J
= 125
°C
IF
= 30 Amp, T
J
= 25
°C
IF
= 30 Amp, T
J
= 125
°C
?
?
?
?
?
0.50
?
0.65
0.62
0.57
0.82
0.72
V
IR
Instantaneous Reverse Current
(Note 3)
Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C
Rated dc Voltage, TJ
= 125
°C
?
?
?
9.0
0.2
25
mA
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle ≤
2.0%.
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